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元器件采购网 > U-213页 > FET - 阵列UPA2756GR-E2-AT

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UPA2756GR-E2-AT

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) Renesas Electronics America 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923
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UPA2756GR-E2-AT参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:260pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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